據多方行業信源確認，韓國兩大存儲巨頭——三星電子與SK海力士已正式向主要客戶提出，將在2026年第一季度對服務器用DRAM產品實施大幅提價，漲幅普遍落在60%至70%區間。這一調整不僅創下近年來存儲芯片價格單季漲幅的新高，也標志著AI驅動下的算力基礎設施建設正深刻重塑整個供應鏈格局。
此次漲價并非孤立事件，而是多重因素疊加的結果。一方面，生成式AI的爆發性增長持續推高對高性能計算硬件的需求。以英偉達H200、AMD MI300X為代表的AI加速平臺對內存帶寬和容量提出更高要求，不僅帶動了HBM（高帶寬內存）訂單激增，也間接拉動了傳統服務器DDR4/DDR5 DRAM的消耗。
數據顯示，單臺AI服務器對DRAM的需求量達到了普通服務器的8倍，而北美四大云廠2026年AI基礎設施總投資預計將突破6000億美元，進一步放大了通用服務器DRAM的需求缺口。三星、SK海力士等頭部企業為此紛紛將晶圓產能向利潤率更高的HBM3E等高帶寬內存傾斜，這類用于英偉達等AI加速器的高端產品，消耗的晶圓資源是傳統DRAM的3倍，直接擠壓了通用服務器DRAM的產能空間，而新產能落地周期長達1.5-2年，短期難以填補缺口。
另一方面，美國在2025年底放寬部分高端AI芯片對華出口限制后，中國云服務商和大型科技企業迅速啟動大規模采購，進一步加劇了全球DRAM產能的緊張局面。
面對供不應求的市場環境，三星與SK海力士采取了極為強勢的供應策略。兩家公司已明確拒絕拒絕簽訂2-3年的長期供貨協議，堅持按季度議價簽約，以此鎖定逐季漲價的節奏。有消息指出，包括谷歌、微軟、亞馬遜在內的國際云廠商雖對成本上升表示擔憂，但鑒于AI基礎設施部署的緊迫性，多數已接受本輪漲價方案。更有傳聞稱，部分未能提前鎖定產能的客戶因交付風險面臨內部問責，凸顯當前存儲資源的戰略價值。
市場的熱烈反應也印證了行業對漲價邏輯的認可，1月5日消息披露當日，三星電子股價大漲近7.5%創下歷史新高，SK海力士股價同步上漲近3%，直接帶動韓國首爾綜指收漲3.43%，創下收盤歷史新高，全球半導體板塊也隨之聯動走強。
值得注意的是，產能分配的傾斜也加劇了結構性短缺。為滿足HBM3E等先進產品的制造需求，兩大韓廠將大量1α納米及更先進制程產能轉向高毛利產品線，導致通用服務器DRAM的產出受限。這種“擠出效應”使得原本就處于復蘇通道的服務器內存市場雪上加霜。
市場研究機構預測，2026年全年服務器DRAM平均價格同比漲幅可能超過140%，其中Q1將成為關鍵拐點。供需方面，預計2026年全球DRAM位元供應量增幅僅為15%-20%，而需求增速將達到20%-25%，供需缺口持續擴大的態勢難以逆轉。
受此影響，下游終端廠商壓力陡增。PC、智能手機等消費電子產品的存儲成本占比顯著上升，部分品牌已開始醞釀提價或調整產品配置策略。與此同時，三星與SK海力士2026年營業利潤將有望分別達到155萬億韓元和148萬億韓元，較2025年實現2.5倍以上的激增，毛利率有望突破60%，七年來首次超越臺積電。
這場由AI點燃的存儲漲價潮，不僅反映了技術演進對硬件基礎的深層依賴，也揭示了全球半導體供應鏈在高確定性需求面前的脆弱性與博弈張力。未來幾個季度，DRAM市場的價格走勢、產能調配以及客戶應對策略，將持續成為觀察全球科技產業競爭態勢的重要窗口。
