| 參數名稱 | 參數值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | - |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequency - Transition | 80 MHz |
| Power - Max | 150 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-85 |
| Supplier Device Package | SMini3-F2 |
關于 UNR5115G0L
UNR5115G0L 是由 松下 制造的 單個預偏置雙極晶體管 類電子元器件。TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: PNP - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V、Resistor - Base (R1): 10 kOhms、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V。
UNR5115G0L 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（250mV @ 300μA, 10mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（500nA）、Frequency - Transition（80 MHz）、Power - Max（150 mW）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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UNR5115G0L 是由 松下 制造的 單個預偏置雙極晶體管 類電子元器件。深圳凌創輝電子有限公司作為專業的電子元器件分銷商，提供該產品的原裝正品現貨，確保品質可靠、來源可追溯。
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新聞資訊
松下 單個預偏置雙極晶體管 產品 UNR5115G0L
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