STU13N65M2 意法半導體單 FET、MOSFET

品牌：意法半導體分類：單 FET、MOSFET 描述：MOSFET N-CH 650V 10A IPAK

意法半導體 STU13N65M2 單 FET、MOSFET

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Product Status	Obsolete
FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	430mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	590 pF @ 100 V
FET Feature	-
Power Dissipation (Max)	110W (Tc)
Operating Temperature	150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole
Supplier Device Package	TO-251 (IPAK)
Package / Case	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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