| 參數(shù)名稱 | 參數(shù)值 |
|---|---|
| Product Status | Not For New Designs |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.7 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 210 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
關(guān)于 R8002ANX
R8002ANX 是由 羅姆半導(dǎo)體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N-CH 800V 2A TO220FM。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Not For New Designs、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
R8002ANX 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（4.3Ohm @ 1A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（5V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（12.7 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±30V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（210 pF @ 25 V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 羅姆半導(dǎo)體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設(shè)計和制造半導(dǎo)體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應(yīng)用于不斷發(fā)展壯大的無線通信、計算機(jī)、汽車和消費(fèi)電子市場。一些最具創(chuàng)新性的設(shè)備和裝置都采用了羅姆的產(chǎn)品。
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R8002ANX 是由 羅姆半導(dǎo)體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司作為專業(yè)的電子元器件分銷商，提供該產(chǎn)品的原裝正品現(xiàn)貨，確保品質(zhì)可靠、來源可追溯。
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新聞資訊
羅姆半導(dǎo)體 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 R8002ANX
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