STB40N20 意法半導體單 FET、MOSFET
意法半導體 STB40N20 單 FET、MOSFET
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規格參數
| Product Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2500 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 160W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
STB40N20 意法半導體單 FET、MOSFET - 規格參數與選型指南
STB40N20 是由 意法半導體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
STB40N20 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（45mOhm @ 20A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（4V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（75 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（2500 pF @ 25 V） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
關于 意法半導體：意法半導體是一家全球獨立的半導體公司，是開發和提供微電子應用領域半導體解決方案的領導者。公司結合了硅和系統方面的專業知識、制造實力、知識產權（IP）組合以及戰略合作伙伴關系，使其在系統級芯片（SoC）技術的前沿占據領先地位，其產品在推動當今的融合趨勢中發揮著關鍵作用。
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