| 參數名稱 | 參數值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 6.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.75V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.8 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 650 pF @ 100 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | D-PAK (TO-252) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
關于 STD18N60M6
STD18N60M6 是由 意法半導體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N-CH 600V 13A DPAK。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
STD18N60M6 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（280mOhm @ 6.5A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（4.75V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（16.8 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±25V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（650 pF @ 100 V） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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STD18N60M6 是由 意法半導體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。深圳凌創輝電子有限公司作為專業的電子元器件分銷商，提供該產品的原裝正品現貨，確保品質可靠、來源可追溯。
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新聞資訊
意法半導體 單 FET、MOSFET 產品 STD18N60M6
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