| 參數名稱 | 參數值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Diode Type | Schottky - Single |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 5V |
| Current - Max | 10 mA |
| Capacitance @ Vr, F | 0.8pF @ 1V, 1MHz |
| Resistance @ If, F | - |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOD-882 |
| Supplier Device Package | DFN1006-2W |
關于 RB886ASAFHT2RB
RB886ASAFHT2RB 是由 羅姆半導體 制造的 射頻二極管 類電子元器件。5V, 10MA, DFN1006-2W, AUTOMOTIVE。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Diode Type: Schottky - Single、Voltage - Peak Reverse (Max): 5V、Current - Max: 10 mA、Capacitance @ Vr, F: 0.8pF @ 1V, 1MHz、Operating Temperature: 150°C (TJ)。
RB886ASAFHT2RB 共有 8 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Package / Case（SOD-882）、Supplier Device Package（DFN1006-2W） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
關于 羅姆半導體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設計和制造半導體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應用于不斷發展壯大的無線通信、計算機、汽車和消費電子市場。一些最具創新性的設備和裝置都采用了羅姆的產品。
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新聞資訊
羅姆半導體 射頻二極管 產品 RB886ASAFHT2RB
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