GPIHV14DF | GaNPower 單 FET、MOSFET 原裝正品現貨
作為一家專業的電子元器件分銷商，深圳凌創輝電子有限公司深知高性能電子元器件對于工程師和采購人員的重要性。今天，我們為您隆重推薦一款來自GaNPower的尖端產品——GPIHV14DF。這款單 FET、MOSFET產品憑借其卓越的性能和GaN技術優勢，必將成為您下一代電力電子設計的理想選擇。
產品概述
GPIHV14DF是GaNPower公司最新推出的氮化鎵場效應晶體管（GaNFET），屬于N溝道MOSFET。GaNPower作為一家專注于高能效氮化鎵（GaN）功率器件和相關集成電路開發的領先企業，以其創新的電路拓撲和對GaN技術深刻的理解，不斷推動著電力電子系統的革新。GPIHV14DF正是GaNPower新一代系統解決方案的代表之一，特別適用于對效率、功率密度和可靠性有極高要求的應用場景。作為一款高性能的電子元器件，GPIHV14DF為工程師提供了前所未有的設計可能性。欲了解更多關于這款產品的詳細信息，請訪問我們的GPIHV14DF產品頁面。您也可以在此了解更多關于GaNPower品牌和單 FET、MOSFET分類的信息。
核心規格參數
為了幫助您全面了解GPIHV14DF的性能，我們為您整理了其關鍵規格參數，并以表格形式呈現：
| 參數 | 規格 |
|---|---|
| 產品狀態 (Product Status) | Active |
| FET類型 (FET Type) | N-Channel |
| 技術 (Technology) | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 漏源極電壓 (Drain to Source Voltage, Vdss) | 1200 V |
| 連續漏極電流 (Current - Continuous Drain, Id) @ 25°C | 14A |
| 驅動電壓 (Drive Voltage, Max Rds On, Min Rds On) | 6V |
| 柵極閾值電壓 (Vgs(th)) @ Id (Max) | 1.7V @ 3.5mA |
| 柵極電荷 (Gate Charge, Qg) @ Vgs (Max) | 4 nC @ 6 V |
| 最大柵極-源極電壓 (Vgs (Max)) | +7.5V, -12V |
| 輸入電容 (Input Capacitance, Ciss) @ Vds (Max) | 60 pF @ 700 V |
| 工作溫度 (Operating Temperature, TJ) | -55°C ~ 150°C |
| 安裝類型 (Mounting Type) | Surface Mount |
產品特性與優勢
GPIHV14DF GaNFET 憑借其核心的氮化鎵技術，展現出傳統硅基MOSFET難以比擬的優勢：
- 高耐壓性能： 1200V的漏源極電壓 (Vdss) 使得GPIHV14DF能夠應對更高電壓的應用需求，為設計提供更大的余量。
- 優異的導通和開關特性： GaN技術固有的低柵極電荷 (Qg) 和低輸入電容 (Ciss) 帶來了更低的開關損耗，從而提高電源轉換效率，降低工作溫度。
- 高功率密度： 緊湊的DFN8x8封裝和出色的散熱性能，允許在更小的空間內實現更高的功率輸出，非常適合對尺寸敏感的系統。
- 寬工作溫度范圍： -55°C ~ 150°C 的工作溫度范圍確保了GPIHV14DF在嚴苛環境下也能穩定運行。
- 易于驅動： 6V的驅動電壓易于被各類控制器件驅動，簡化了驅動電路設計。
這些特性使得GPIHV14DF成為高頻、高效率電源設計的理想選擇，能夠幫助工程師在購買電子元器件時，實現性能和成本的最佳平衡。
應用領域
憑借其高性能和高可靠性，GPIHV14DF在眾多領域擁有廣泛的應用前景，包括：
- 服務器和數據中心電源
- 新能源汽車充電樁和車載電源
- 工業電源和電機驅動
- 消費電子產品中的高效電源適配器
- 太陽能逆變器
- LED照明驅動
為什么選擇深圳凌創輝電子有限公司購買GPIHV14DF？
作為一家值得信賴的電子元器件分銷商，深圳凌創輝電子有限公司致力于為廣大工程師和采購人員提供一站式的解決方案。選擇我們購買GPIHV14DF，您將獲得：
- 原裝正品保障： 我們承諾所有產品均來自原廠，確保品質可靠，為您避免假冒偽劣產品的風險。
- 價格優勢： 作為GaNPower的授權分銷商，我們能為您提供具有競爭力的價格。
- 快速交付： 我們擁有完善的供應鏈體系，能夠確保您所需產品的及時交付，滿足您的生產計劃。
- 專業技術支持： 我們的專業技術團隊隨時準備為您提供產品選型、技術咨詢等支持服務，幫助您更有效地利用GPIHV14DF。
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