| 參數名稱 | 參數值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 50mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 250μA, 5mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Frequency - Transition | - |
| Power - Max | 250 mW |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Supplier Device Package | TO-92 |
關于 AN1L3N
AN1L3N 是由 日電 制造的 單個預偏置雙極晶體管 類電子元器件。SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Transistor Type: PNP - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V、Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms。
AN1L3N 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（80 @ 50mA, 5V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（200mV @ 250μA, 5mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（100nA (ICBO)）、Power - Max（250 mW）、Mounting Type（Through Hole） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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新聞資訊
日電 單個預偏置雙極晶體管 產品 AN1L3N
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