| 參數(shù)名稱(chēng) | 參數(shù)值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 100mA, 5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 100μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3 nC @ 5 V |
| Vgs (Max) | 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 290 pF @ 28 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tj) |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | - |
| Package / Case | 8-CDIP Exposed Pad |
關(guān)于 HTNFET-DC
HTNFET-DC 是由 霍尼韋爾航空航天 制造的 單 FET、MOSFET 類(lèi)電子元器件。MOSFET N-CH 55V 8-DIP。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 100mA, 5V。
HTNFET-DC 共有 13 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（2.4V @ 100μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（4.3 nC @ 5 V）、Vgs (Max)（10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（290 pF @ 28 V）、Power Dissipation (Max)（50W (Tj)） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書(shū)，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線(xiàn)等資料。
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HTNFET-DC 是由 霍尼韋爾航空航天 制造的 單 FET、MOSFET 類(lèi)電子元器件。深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司作為專(zhuān)業(yè)的電子元器件分銷(xiāo)商，提供該產(chǎn)品的原裝正品現(xiàn)貨，確保品質(zhì)可靠、來(lái)源可追溯。
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新聞資訊
霍尼韋爾航空航天 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 HTNFET-DC
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