STW10NK80Z 意法半導體單 FET、MOSFET
意法半導體 STW10NK80Z 單 FET、MOSFET
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規格參數
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2180 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 160W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Package / Case | TO-247-3 |
STW10NK80Z 意法半導體單 FET、MOSFET - 規格參數與選型指南
STW10NK80Z 是由 意法半導體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N-CH 800V 9A TO247-3。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
STW10NK80Z 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（900mOhm @ 4.5A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（4.5V @ 100μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（72 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±30V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（2180 pF @ 25 V） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
關于 意法半導體：意法半導體是一家全球獨立的半導體公司，是開發和提供微電子應用領域半導體解決方案的領導者。公司結合了硅和系統方面的專業知識、制造實力、知識產權（IP）組合以及戰略合作伙伴關系，使其在系統級芯片（SoC）技術的前沿占據領先地位，其產品在推動當今的融合趨勢中發揮著關鍵作用。
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