BR93L66RFJ-WE2是羅姆半導體旗下的記憶 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供BR93L66RFJ-WE2現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供BR93L66RFJ-WE2 datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | Verified |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Format | EEPROM |
| Technology | EEPROM |
| Memory Size | 4Kbit |
| Memory Organization | 256 x 16 |
| Memory Interface | Microwire |
| Clock Frequency | 2 MHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | 5ms |
| Access Time | - |
| Voltage - Supply | 1.8V ~ 5.5V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SOP-J |
BR93L66RFJ-WE2 是由 羅姆半導體 制造的 記憶 類電子元器件。IC EEPROM 4KBIT SPI 2MHZ 8SOPJ。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、DigiKey Programmable: Verified、Memory Type: Non-Volatile、Memory Format: EEPROM、Technology: EEPROM、Memory Size: 4Kbit。
BR93L66RFJ-WE2 共有 15 項技術參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Memory Organization（256 x 16）、Memory Interface（Microwire）、Clock Frequency（2 MHz）、Write Cycle Time - Word, Page（5ms）、Voltage - Supply（1.8V ~ 5.5V） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 羅姆半導體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設計和制造半導體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應用于不斷發(fā)展壯大的無線通信、計算機、汽車和消費電子市場。一些最具創(chuàng)新性的設備和裝置都采用了羅姆的產(chǎn)品。
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