恩智浦關閉美國GaN晶圓廠，退出5G射頻PA業務
日前，恩智浦半導體(NXP Semiconductors)宣布正式關閉其位于美國亞利桑那州錢德勒市的ECHO Fab晶圓廠，并全面退出基于氮化鎵(GaN)技術的5G射頻功率放大器(PA)芯片制造業務，標志著該公司在5G基礎設施芯片領域的一次重大戰略收縮。
ECHO Fab于2020年9月投入運營，是恩智浦為搶占5G基站市場而專門建設的先進產線，采用6英寸氮化鎵碳化硅（GaN-on-SiC）工藝，旨在為通信設備制造商提供高性能射頻功率器件。然而，隨著全球5G網絡部署節奏明顯放緩，實際基站建設規模遠低于行業早期預期——據恩智浦內部評估，市場需求已比最初預測縮水超過40%。加之運營商投資趨于謹慎，設備采購預算持續壓縮，導致相關芯片訂單長期低迷，難以支撐高成本的專用產線運營。
面對這一現實，恩智浦經過審慎評估后決定終止該業務線。工廠預計將在2027年第一季度完成最后一批晶圓生產后正式停運。屆時，這座運行不足七年的晶圓廠將成為近年來少數因市場變化而提前關閉的先進半導體制造設施之一。
此次調整將直接影響約300名員工，目前公司尚未公布詳細的人員安置方案。同時，愛立信、諾基亞等主要客戶也將面臨供應鏈重構的壓力。此外，圍繞ECHO Fab形成的本地材料與設備供應生態亦可能受到波及。
其實，早在今年6月，恩智浦方面就發布公告稱，公司預計將在10年周期內分階段關停全球4座8英寸晶圓廠，覆蓋荷蘭奈梅亨基地及美國境內3座生產設施，相關產能將逐步遷移至新建12英寸晶圓制造平臺。其中，荷蘭奈梅亨工廠作為恩智浦全球核心生產樞紐之一，承載約1700名員工就業，其歷史可追溯至飛利浦半導體時期，具備汽車芯片全鏈條制造、研發與測試能力，此次納入關停計劃引發行業對成熟制程產能供給的廣泛關注。
與低效產能出清同步，恩智浦正以合資共建模式加速推進全球12英寸晶圓產能布局，構建適配智能汽車等高增長領域需求的先進制造體系。
在歐洲市場，恩智浦作為核心股東參與歐洲半導體制造公司（ESMC）合資項目，聯合臺積電、博世、英飛凌在德國德累斯頓投建12英寸晶圓廠，項目總投資超100億歐元（含50億歐元政府補貼），恩智浦持股比例10%。該產線于2024年啟動建設，預計2027年底實現量產，聚焦22-28nm成熟制程，規劃月產能4萬片，投產后將顯著提升恩智浦在歐洲本土汽車芯片市場的供應保障能力與響應效率。
在亞太區域，恩智浦于2024年6月與臺積電旗下世界先進達成戰略合作，斥資16億美元持股40%成立合資公司VSMC，在新加坡投建12英寸晶圓廠，項目總投資78億美元。該工廠專注130nm-40nm混合信號、電源管理及模擬芯片制造，計劃2027年量產，2029年月產能目標達5.5萬片，未來不排除啟動二期擴建，將成為恩智浦輻射亞太汽車電子與物聯網市場的核心制造樞紐。
此外，恩智浦積極探索新興市場布局，正與印度塔塔電子推進代工合作洽談，計劃將部分成熟制程芯片轉移至塔塔古吉拉特邦12英寸晶圓廠生產，通過產能區域多元化優化成本結構，規避地緣政治風險。
從技術迭代來看，12英寸晶圓面積是8英寸的2.25倍，能降低30%以上的固定成本，在汽車芯片所需的電源管理芯片、MCU等大規模量產產品上優勢顯著，已經成為先進制程的核心載體。SEMI數據顯示，2023-2026年全球預計將新建82座12英寸晶圓廠，到2026年，12英寸產能占比將達65%，8英寸僅占20%，行業向12英寸化轉型的浪潮已不可逆轉。
